Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ600R12KE3

FZ600R12KE3

FZ600R12KE3
FZ600R12KE3
Артикул: FZ600R12KE3
Описание: FZ600R12KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 2.8 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 2.8 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet