История:
2EDGKDM-5.08-02P
2EDGKDR-5.08-02P
5.0SMDJ45A-QH
VLAS060316A350DP
T1635T-8I
5.0SMDJ40A
T1635H-8T
VM105MK801R014P050
VM105MK801R030P050
T1635T-8G
FZ400R12KP4
VM155MK801R017P050
VM155MK801R040P050
VM105MK801R017P050
VM105MK801R040P050
T1635H-6G-TR
D10B-SF-4g-CV-M20
MWI50-12A7T
095553
2026-23-C2F
095571
P1553ACL60
T1635T-6I
FZ600R12KP4
FZ600R12KP4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

