Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ600R12KS4

FZ600R12KS4

FZ600R12KS4
FZ600R12KS4
Артикул: FZ600R12KS4
Описание: FZ600R12KS4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 3900 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 3900 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet