Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ600R17KE3

FZ600R17KE3

FZ600R17KE3
FZ600R17KE3
Артикул: FZ600R17KE3
Описание: FZ600R17KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1070 A
Power Dissipation 3150 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1070 A
Power Dissipation 3150 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ600R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet