Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ750R65KE3

FZ750R65KE3

FZ750R65KE3
FZ750R65KE3
Артикул: FZ750R65KE3
Описание: FZ750R65KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 6500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 750 A
Power Dissipation 3000 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ750R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 6500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 750 A
Power Dissipation 3000 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ750R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet