FZ800R12KE3
FZ800R12KE3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
800 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
800 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

