Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ800R12KS4_B2

FZ800R12KS4_B2

FZ800R12KS4_B2
FZ800R12KS4_B2
Артикул: FZ800R12KS4_B2
Описание: FZ800R12KS4_B2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Power Dissipation 7.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R12KS4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Power Dissipation 7.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R12KS4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet