Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ800R33KF2C

FZ800R33KF2C

FZ800R33KF2C
FZ800R33KF2C
Артикул: FZ800R33KF2C
Описание: FZ800R33KF2C
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1300 A
Power Dissipation 9.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1300 A
Power Dissipation 9.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ800R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet