Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZ900R12KE4

FZ900R12KE4

FZ900R12KE4
FZ900R12KE4
Артикул: FZ900R12KE4
Описание: FZ900R12KE4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 4300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ900R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 4300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ900R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet