Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
GB100XCP12-227

GB100XCP12-227

GB100XCP12-227
GB100XCP12-227
Артикул: GB100XCP12-227
Описание: GB100XCP12-227
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Semiconductor
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module GB100XCP12-227: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Semiconductor
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module GB100XCP12-227: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet