Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IFCM20U65GDXKMA1

IFCM20U65GDXKMA1

IFCM20U65GDXKMA1
IFCM20U65GDXKMA1
Артикул: IFCM20U65GDXKMA1
Описание: IFCM20U65GDXKMA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 1 mA
Continuous Collector Current 20 A
Power Dissipation 52.3 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM20U65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 1 mA
Continuous Collector Current 20 A
Power Dissipation 52.3 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM20U65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet