Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IFCM30T65GDXKMA1

IFCM30T65GDXKMA1

IFCM30T65GDXKMA1
IFCM30T65GDXKMA1
Артикул: IFCM30T65GDXKMA1
Описание: IFCM30T65GDXKMA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration 2-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 1 mA
Continuous Collector Current 30 A
Power Dissipation 60.4 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM30T65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration 2-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 1 mA
Continuous Collector Current 30 A
Power Dissipation 60.4 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM30T65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet