Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1

IFF600B12ME4S8PB11BOSA1

IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Артикул: IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Описание: IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 600 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF600B12ME4S8PB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 600 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF600B12ME4S8PB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet