IRG4BH20K-STRLP
IRG4BH20K-STRLP
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
11 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BH20K-STRLP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
11 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BH20K-STRLP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

