IRG4RC10KDTRPBF
IRG4RC10KDTRPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
9 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4RC10KDTRPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
9 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4RC10KDTRPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

