История:
SPSH-M12A-05P-MM-SF8001
SPSH-M12A-04P-FF-SF8001
SPSH-M12A-04P-MM-SF8002
MAA2000-1T28SDP
2EDGKAM-5.0-04P
DG351R-3.5-02P
MAA2000-1T24SDP
SPSH-M12A-03P-MM-SF8002
LM2903AVQDRG4
DG351V-3.5-02P
2EDGKA-7.5-03P
SPSH-M12A-05P-MM-SF8002
LM2901AVQPWRG4Q1
DG381A-3.5-04P
MAA2000-1T28SDN
DG105R-5.0-01P
DG381-3.5-02P
IRGS10B60KDTRRP
IRGS10B60KDTRRP
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
22 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRGS10B60KDTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
22 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRGS10B60KDTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet