Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXA30RG1200DHGLB-TRR

IXA30RG1200DHGLB-TRR

IXA30RG1200DHGLB-TRR
IXA30RG1200DHGLB-TRR
Артикул: IXA30RG1200DHGLB-TRR
Описание: IXA30RG1200DHGLB-TRR
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 43 A
Power Dissipation 147 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA30RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 43 A
Power Dissipation 147 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA30RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet