IXA40RG1200DHGLB-TRR
IXA40RG1200DHGLB-TRR
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
61 A
Power Dissipation
215 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
61 A
Power Dissipation
215 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA40RG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet