Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXA70I1200NA

IXA70I1200NA

IXA70I1200NA
IXA70I1200NA
Артикул: IXA70I1200NA
Описание: IXA70I1200NA
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA70I1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA70I1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet