История:
0034.5606.22
PDTA113ZM,315
S16A-SE-2B-PG16
IXG70IF1200NA
IXG70IF1200NA
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current
130 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXG70IF1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current
130 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXG70IF1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

