Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGA20N120B3

IXGA20N120B3

IXGA20N120B3
IXGA20N120B3
Артикул: IXGA20N120B3
Описание: IXGA20N120B3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 36 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGA20N120B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 36 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGA20N120B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet