Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGH30N120C3H1

IXGH30N120C3H1

IXGH30N120C3H1
IXGH30N120C3H1
Артикул: IXGH30N120C3H1
Описание: IXGH30N120C3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.6 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 48 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.6 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 48 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet