Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGH30N60C3

IXGH30N60C3

IXGH30N60C3
IXGH30N60C3
Артикул: IXGH30N60C3
Описание: IXGH30N60C3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 60 A
Power Dissipation 220 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N60C3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 60 A
Power Dissipation 220 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N60C3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet