Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGH48N60B3

IXGH48N60B3

IXGH48N60B3
IXGH48N60B3
Артикул: IXGH48N60B3
Описание: IXGH48N60B3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH48N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH48N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet