Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGH56N60B3D1

IXGH56N60B3D1

IXGH56N60B3D1
IXGH56N60B3D1
Артикул: IXGH56N60B3D1
Описание: IXGH56N60B3D1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.49 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 350 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH56N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.49 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 350 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH56N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet