Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGH64N60B3

IXGH64N60B3

IXGH64N60B3
IXGH64N60B3
Артикул: IXGH64N60B3
Описание: IXGH64N60B3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.59 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 400 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH64N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.59 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 400 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH64N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet