Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGK320N60B3

IXGK320N60B3

IXGK320N60B3
IXGK320N60B3
Артикул: IXGK320N60B3
Описание: IXGK320N60B3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 500 A
Power Dissipation 1.7 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK320N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 500 A
Power Dissipation 1.7 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK320N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet