Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGK64N60B3D1

IXGK64N60B3D1

IXGK64N60B3D1
IXGK64N60B3D1
Артикул: IXGK64N60B3D1
Описание: IXGK64N60B3D1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 460 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK64N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 460 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK64N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet