Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1
IXGR55N120A3H1
Артикул:
Описание: IXGR55N120A3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 70 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR55N120A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 70 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR55N120A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet