Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGR6N170A

IXGR6N170A

IXGR6N170A
IXGR6N170A
Артикул:
Описание: IXGR6N170A
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 5.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 5.5 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR6N170A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 5.4 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 5.5 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR6N170A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet