Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGR72N60B3H1

IXGR72N60B3H1

IXGR72N60B3H1
IXGR72N60B3H1
Артикул: IXGR72N60B3H1
Описание: IXGR72N60B3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 80 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR72N60B3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 80 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR72N60B3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet