Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGT32N120A3

IXGT32N120A3

IXGT32N120A3
IXGT32N120A3
Артикул: IXGT32N120A3
Описание: IXGT32N120A3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT32N120A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT32N120A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet