Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1
IXGX50N120C3H1
Артикул: IXGX50N120C3H1
Описание: IXGX50N120C3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 95 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 95 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet