Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1
IXXN110N65C4H1
Артикул: IXXN110N65C4H1
Описание: IXXN110N65C4H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.98 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 210 A
Power Dissipation 750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN110N65C4H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.98 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 210 A
Power Dissipation 750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN110N65C4H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet