Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1
IXXN200N60C3H1
Артикул: IXXN200N60C3H1
Описание: IXXN200N60C3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN200N60C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN200N60C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet