Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXYN30N170CV1

IXYN30N170CV1

IXYN30N170CV1
IXYN30N170CV1
Артикул: IXYN30N170CV1
Описание: IXYN30N170CV1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 88 A
Power Dissipation 680 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN30N170CV1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 88 A
Power Dissipation 680 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN30N170CV1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet