Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1
IXYN80N90C3H1
Артикул: IXYN80N90C3H1
Описание: IXYN80N90C3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 115 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN80N90C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 115 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN80N90C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet