MDI550-12A4
MDI550-12A4
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
670 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
670 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

