Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MG06100S-BN4MM

MG06100S-BN4MM

MG06100S-BN4MM
MG06100S-BN4MM
Артикул: MG06100S-BN4MM
Описание: MG06100S-BN4MM
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 125 A
Power Dissipation 330 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06100S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 125 A
Power Dissipation 330 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06100S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet