Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MG1240H-XBN2MM

MG1240H-XBN2MM

MG1240H-XBN2MM
MG1240H-XBN2MM
Артикул: MG1240H-XBN2MM
Описание: MG1240H-XBN2MM
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration 3-Phase Converter Brake Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 55 A
Power Dissipation 195 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1240H-XBN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration 3-Phase Converter Brake Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 55 A
Power Dissipation 195 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1240H-XBN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet