Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM
MG1275S-BA1MM
Артикул: MG1275S-BA1MM
Описание: MG1275S-BA1MM
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 105 A
Power Dissipation 630 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1275S-BA1MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 105 A
Power Dissipation 630 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1275S-BA1MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet