Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MG1275W-XBN2MM

MG1275W-XBN2MM

MG1275W-XBN2MM
MG1275W-XBN2MM
Артикул: MG1275W-XBN2MM
Описание: MG1275W-XBN2MM
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration 3-Phase Converter Brake Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 105 A
Power Dissipation 348 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1275W-XBN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration 3-Phase Converter Brake Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 105 A
Power Dissipation 348 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1275W-XBN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet