Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MG1775S-BN4MM

MG1775S-BN4MM

MG1775S-BN4MM
MG1775S-BN4MM
Артикул: MG1775S-BN4MM
Описание: MG1775S-BN4MM
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 125 A
Power Dissipation 520 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1775S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Littelfuse
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 125 A
Power Dissipation 520 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1775S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet