Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MID100-12A3

MID100-12A3

MID100-12A3
MID100-12A3
Артикул: MID100-12A3
Описание: MID100-12A3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 135 A
Power Dissipation 560 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID100-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 135 A
Power Dissipation 560 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID100-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet