История:
BD5.1/2/10-3C90
PBSH-M12A-08P-FF-SL7002
MID150-12A4
MID150-12A4
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
180 A
Power Dissipation
760 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID150-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
180 A
Power Dissipation
760 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID150-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

