MID300-12A4
MID300-12A4
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
800 nA
Continuous Collector Current
330 A
Power Dissipation
1.38 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID300-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
800 nA
Continuous Collector Current
330 A
Power Dissipation
1.38 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID300-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

