Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MID550-12A4

MID550-12A4

MID550-12A4
MID550-12A4
Артикул: MID550-12A4
Описание: MID550-12A4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 1.6 uA
Continuous Collector Current 670 A
Power Dissipation 2.75 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 1.6 uA
Continuous Collector Current 670 A
Power Dissipation 2.75 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet