Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIEB101H1200EH

MIEB101H1200EH

MIEB101H1200EH
MIEB101H1200EH
Артикул: MIEB101H1200EH
Описание: MIEB101H1200EH
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 183 A
Power Dissipation 630 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIEB101H1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 183 A
Power Dissipation 630 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIEB101H1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet