Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA101W1200EH

MIXA101W1200EH

MIXA101W1200EH
MIXA101W1200EH
Артикул: MIXA101W1200EH
Описание: MIXA101W1200EH
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 0.03 mA
Continuous Collector Current 155 A
Power Dissipation 500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA101W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 0.03 mA
Continuous Collector Current 155 A
Power Dissipation 500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA101W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet