MIXA150Q1200VA
MIXA150Q1200VA
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
220 A
Power Dissipation
695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA150Q1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
220 A
Power Dissipation
695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA150Q1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

